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加热温度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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1200℃晶体生长炉（适用于顶部籽晶法，炉腔尺寸：Φ240*200mm）
1700°C二通道混气高真空CVD系统
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简便型原位元素分析X射线荧光光谱仪
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台式四探针电阻率测试仪
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3mmAl引片
CR1220电池壳
乙炔黑-锂电池阳极材料
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