Si-Ge晶体
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随着微电子、光电器件以及放射性同位素热电发电机的不断发展,人们重新对SiGe单晶材料产生了浓厚的兴趣。当SiGe外延层超过临界厚度时,采用高质量的SiGe单晶替代Si单晶作为外延衬底材料,可以减少Si衬底与Si1-xGex合金层之间过渡层的数目,避免或减少失配位错,改善量子阱器件的性能。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

Si-Ge 晶体基片


技术参数

晶体结构:            

立方晶系                        

晶格常数:

a=0.5431+0.02x+0.027x2Å

电阻:

7-8 ohm-cm

导电类型:

P型不掺杂

生长方法:

直拉(CZ)法生长


产品规格

常规晶向:                 

<100>

常规尺寸:

常规尺寸:dia4″x0.5mm;

抛光情况:

单抛、双抛

抛光面粗糙度:

< 5A


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷



标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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