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GaN晶体
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- 氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率，近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注，是目前最优秀的半导体材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称 |
氮化镓(GaN)晶体基片 |
| 技术参数 |
晶体结构： | 六方晶系 | | 晶格常数 | a= 3.186 Å , c = 5.186 Å | 传导类型： | N型掺Si；N型不掺杂 | 可用表面积： | >90% | 位错密度： | （5-9）x105Ω.cm | 电阻率： | R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm | | 介电常数： | 8.9 | TTV： | ≤15um | | 密度 | 6.15（g/cm3） | 生长方法： | HVPE（氢化物气相外延法） |
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| 产品规格 |
常规晶向： | (0001) | 常规尺寸： |
10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | 表面粗糙度： | <5Å | 注：尺寸可按照客户要求定做。 |
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| 晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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