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GaAs晶体
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- 砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称 |
砷化镓(GaAs)晶体基片
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| 技术参数 |
晶体结构： | 立方晶系 | 晶格常数： | a=5.6534Å | 导电类型： | N型掺Si；N型掺Te；不掺杂；P型掺Ga | 熔点： | 1237°C | 禁带宽度: | 1.4电子伏 | | 介电常数： | 13.1 | 位错密度： | <5x103cm^2 等 | 迁移率： | (3500-3600)cm2/vs 等 | 生长方法: | VGF生产方法 |
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| 产品规格 |
常规晶向： | <100>、<110>、<111> | 常规尺寸： | 10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm； | 抛光情况： | 单抛、双抛 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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| 晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋 |
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