InAs晶体基片
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产品名称

砷化铟(InAs)晶体

技术参数

晶体结构:            

立方晶系                  

晶格常数:

a=5.4505 Å

掺杂类型:

不掺杂

导电类型:

N

载流子浓度:

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率:

>18500cm2/V.S 

生长方法:

CZ

产品规格

常规晶向:            

<100> <111>                

常规尺寸:

2"x0.5mm  10x10x0.5mm

抛光情况:

单抛  双抛

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装。


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