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Si晶体基片
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- 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称 |
Si 单晶基片
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| 技术参数 |
晶体结构： | 立方晶系 | 晶格常数： | a=5.4301 Å | 掺杂类型： | N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B | 硬度（mohs): | 6.5 | 电阻率： | 10000～0.001Ω.cm | 超导率（w/m.k): | 149 | 密度： | 2.329（g/cm3） | 熔点： | 1414℃ | 热膨胀系数（/k): | 2.6×10-6 | 生长方法： | CZ和FZ |
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| 产品规格 |
常规晶向： | 、、 | 常规尺寸： | Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm | 抛光情况： | 单抛、双抛、细磨 | 抛光面粗糙度： | < 10A | 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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| 晶体缺陷 |
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
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| 标准包装 |
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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